FP15R12W1T4PB11BPSA1, IGBT Modules N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 320 руб.
от 10 шт. —
10 760 руб.
1 шт.
на сумму 13 320 руб.
Плати частями
от 3 330 руб. × 4 платежа
от 3 330 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 15 A |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | FP15R12W1T4P_B11 SP001326030 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 906 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
