FS3L40R07W2H5FB11BOMA1, IGBT Modules EASY STANDARD
![FS3L40R07W2H5FB11BOMA1, IGBT Modules EASY STANDARD](https://static.chipdip.ru/lib/253/DOC005253309.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 750 руб.
от 10 шт. —
24 800 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 30 750 руб.
Плати частями
от 7 689 руб. × 4 платежа
от 7 689 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.4В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 20А |
DC Ток Коллектора | 20А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Three level Inverter |
Линейка Продукции | EasyPACK |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.4В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1087 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов