IGP50N60TXKSA1, IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

Фото 1/2 IGP50N60TXKSA1, IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 220 руб.
от 10 шт.980 руб.
от 25 шт.773 руб.
от 100 шт.670.25 руб.
1 шт. на сумму 1 220 руб.
Плати частями
от 305 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005505191
Артикул: IGP50N60TXKSA1

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 333 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IGP50N60T IGP5N6TXK SP000683046
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 90 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 500
Серия TRENCHSTOP IGBT
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 90 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 333 W
Number of Transistors 3
Package Type PG-TO220-3
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet IGP50N60TXKSA1
pdf, 459 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов