IKB20N65EH5ATMA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14

Фото 1/2 IKB20N65EH5ATMA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
850 руб.
от 10 шт.680 руб.
от 25 шт.621 руб.
от 100 шт.483.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 850 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005505199
Артикул: IKB20N65EH5ATMA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 25А, 62,5Вт, D2PAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Packaging Tape and Reel
Rad Hardened No
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 38А
Power Dissipation 125Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1.56

Техническая документация

Datasheet IKB20N65EH5ATMA1
pdf, 1562 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов