IKB20N65EH5ATMA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
![Фото 1/2 IKB20N65EH5ATMA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/182/DOC026182250.jpg)
850 руб.
от 10 шт. —
680 руб.
от 25 шт. —
621 руб.
от 100 шт. —
483.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 25А, 62,5Вт, D2PAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Packaging | Tape and Reel |
Rad Hardened | No |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 38А |
Power Dissipation | 125Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1.56 |
Техническая документация
Datasheet IKB20N65EH5ATMA1
pdf, 1562 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов