IKFW40N60DH3EXKSA1, IGBTs Y
![Фото 1/2 IKFW40N60DH3EXKSA1, IGBTs Y](https://static.chipdip.ru/lib/518/DOC006518122.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/732/DOC026732651.jpg)
1 620 руб.
от 10 шт. —
1 260 руб.
от 25 шт. —
1 150 руб.
от 100 шт. —
916.81 руб.
1 шт.
на сумму 1 620 руб.
Плати частями
от 405 руб. × 4 платежа
от 405 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HOME APPLIANCES 14
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 111 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IKFW40N60DH3E SP001502652 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.3 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 34 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 44 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | Trenchstop High Speed 3 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO247-3 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 34 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
Maximum Power Dissipation | 111 W |
Package Type | PG-TO247-3-AI |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Isolated |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IKFW40N60DH3EXKSA1
pdf, 2003 КБ
Datasheet IKFW40N60DH3EXKSA1
pdf, 1927 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов