IMBG120R350M1HXTMA1, MOSFET SIC DISCRETE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 670 руб.
от 10 шт. —
1 380 руб.
от 25 шт. —
1 260 руб.
от 100 шт. —
1 005.38 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 670 руб.
Плати частями
от 419 руб. × 4 платежа
от 419 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
The Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET in a D2PAK-7L package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability in operation.
Технические параметры
| Package Type | PG-TO263-7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1252 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
