IXYP20N65C3D1, IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP

Фото 1/2 IXYP20N65C3D1, IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 050 руб.
от 10 шт.820 руб.
от 50 шт.740 руб.
от 100 шт.593.65 руб.
1 шт. на сумму 1 050 руб.
Плати частями
от 264 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005506876
Артикул: IXYP20N65C3D1
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 20А, 200Вт, TO220-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Brand: IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 50 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 50
Manufacturer: IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 200 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: Planar
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: XPT, GenX3
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 249 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов