HS8K11TB, MOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

667 шт., срок 5-7 недель

180 руб.

от 10 шт. — 160 руб.

от 100 шт. — 104 руб.

от 500 шт. — 81.52 руб.

1 шт. на сумму 180 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005508604

Артикул: HS8K11TB

Бренд: Rohm

Unclassified

МОП-транзистор 30V Nch+Nch Power МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	7 A, 11 A
Pd - рассеивание мощности	2 W
Qg - заряд затвора	11.1 nC, 20.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	12.8 mOhms, 10.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10.8 ns, 15 ns
Время спада	5.1 ns, 7.5 ns
Другие названия товара №	HS8K11
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	26.8 ns, 47.3 ns
Типичное время задержки при включении	9.4 ns, 13.6 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	HSML3030L-10
Вес, г	1

pdf, 2153 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем