QH8K51TR, MOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET.

QH8K51TR, MOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5874 шт., срок 5-7 недель
300 руб.
от 10 шт.230 руб.
от 100 шт.168 руб.
от 500 шт.132.66 руб.
1 шт. на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005508817
Артикул: QH8K51TR
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 15 ns
Id - Continuous Drain Current: 2 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package / Case: TSMT-8
Part # Aliases: QH8K51
Pd - Power Dissipation: 1.5 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 4.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 325 mOhms
Rise Time: 10 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 30 ns
Typical Turn-On Delay Time: 10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 0.01

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.