QS6J1TR, MOSFETs 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2974 шт., срок 5-7 недель
180 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 100 шт. —
97 руб.
от 500 шт. —
78.41 руб.
1 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOT-457T-6 |
| Part # Aliases: | QS6J1 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Qg - Gate Charge: | 3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 310 mOhms |
| Rise Time: | 12 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1485 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
