QS8J4TR, MOSFETs TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4637 шт., срок 5-7 недель
220 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
128 руб.
от 500 шт. —
97.80 руб.
1 шт.
на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
МОП-транзистор TRANS МОП-транзистор PCH 30V 4A 8PIN
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms, 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 20 ns, 20 ns |
| Время спада | 50 ns, 50 ns |
| Другие названия товара № | QS8J4 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | QS8J4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 80 ns, 80 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns, 8 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSMT-8 |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.04Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.04Ом |
| Power Dissipation N Channel | 1.5Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.5Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 4А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 4А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 84 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TSMT-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | QS8J4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V(N Channel) |
| Width | 2.5mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 56mΩ@4A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 800pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 550mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13nC@10V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
