QS8K13TCR, MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2167 шт., срок 5-7 недель
370 руб.
от 10 шт. —
290 руб.
от 100 шт. —
213 руб.
от 500 шт. —
168.73 руб.
1 шт.
на сумму 370 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Silicon Power MOSFETsROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 7 ns, 7 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 3 S, 3 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | TSMT-8 |
| Part # Aliases: | QS8K13 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms, 20 mOhms |
| Rise Time: | 40 ns, 40 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns, 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns, 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1462 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
