R6009JNXC7G, MOSFETs R6009JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
![Фото 1/3 R6009JNXC7G, MOSFETs R6009JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.](https://static.chipdip.ru/lib/816/DOC006816934.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/094/DOC010094780.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/165/DOC036165008.jpg)
1993 шт., срок 5-7 недель
450 руб.
от 50 шт. —
390 руб.
1 шт.
на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 600V N-CH 9A POWER
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
Pd - рассеивание мощности | 53 W |
Qg - заряд затвора | 22 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 585 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 16 ns |
Время спада | 20 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PrestoMOS |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | BM14270MUV-LB |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 38 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.45Ом |
Power Dissipation | 53Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 9А |
Пороговое Напряжение Vgs | 6В |
Рассеиваемая Мощность | 53Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.45Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FM |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
Maximum Drain Source Resistance | 580 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 7V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 53 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FM |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 15 V |
Width | 5mm |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.