R6547KNZ4C13, MOSFETs Nch 650V 47A Power MOSFET. R6547KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

Фото 1/2 R6547KNZ4C13, MOSFETs Nch 650V 47A Power MOSFET. R6547KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
571 шт., срок 5-7 недель
4 020 руб.
от 10 шт.3 370 руб.
от 25 шт.2 900 руб.
от 50 шт.2 720.94 руб.
1 шт. на сумму 4 020 руб.
Плати частями
от 1 005 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005508848
Артикул: R6547KNZ4C13
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
Silicon Power MOSFETs
ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Fall Time: 85 ns
Id - Continuous Drain Current: 47 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Part # Aliases: R6547KNZ4
Pd - Power Dissipation: 480 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 100 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 80 mOhms
Rise Time: 120 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 150 ns
Typical Turn-On Delay Time: 50 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.07Ом
Power Dissipation 480Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 650В
Непрерывный Ток Стока 47А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 480Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.07Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet R6547KNZ4C13
pdf, 1442 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.