APT50GR120L, IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A TO-264
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2 850 руб.
1 шт.
на сумму 2 850 руб.
Плати частями
от 714 руб. × 4 платежа
от 714 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 694 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 117 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 180 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов