IKA10N65ET6XKSA2, IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
![Фото 1/2 IKA10N65ET6XKSA2, IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14](https://static.chipdip.ru/lib/007/DOC007007325.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/628/DOC032628702.jpg)
670 руб.
от 10 шт. —
510 руб.
от 100 шт. —
361 руб.
от 250 шт. —
327.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IKA10N65ET6 SP001701334 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 15 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 15 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | IGBT6 |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 42.5A |
Gate Charge | 27nC |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power - Max | 40W |
Reverse Recovery Time (trr) | 51ns |
Series | TrenchStopв(ў |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 Full Pack |
Switching Energy | 200ВµJ(on), 70ВµJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 30ns/106ns |
Test Condition | 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 8.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 25 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 30V |
Maximum Power Dissipation | 32.5 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PG-TO220 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 4.3 |
Техническая документация
Datasheet IKA10N65ET6XKSA2
pdf, 3303 КБ
Datasheet IKA10N65ET6XKSA2
pdf, 2048 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов