RGT16TM65DGC9, IGBTs RGT16TM65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General Inverter,
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 шт., срок 5-7 недель
740 руб.
от 10 шт. —
580 руб.
от 100 шт. —
430 руб.
от 250 шт. —
371.04 руб.
1 шт.
на сумму 740 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 9А |
Power Dissipation | 22Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220NFM |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGT16TM65DGC9
pdf, 1555 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.