IKW75N65SS5XKSA1, IGBT Transistors SIC DISCRETE

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 250 руб.

от 10 шт. — 2 730 руб.

от 25 шт. — 2 480 руб.

от 50 шт. — 2 338.70 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 250 руб.

Плати частями
от 814 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005629089

Артикул: IKW75N65SS5XKSA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

The Infineon TRENCHSTOP 5S5 IGBT co-packed with full-rated 6th generation cool SiCTMS schottky barrier diode.

Configuration	Single
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A
Maximum Gate Emitter Voltage	15V
Maximum Power Dissipation	395 W
Number of Transistors	2
Package Type	PG-TO247-3
Collector Emitter Saturation Voltage	1.35В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	80А
Power Dissipation	395Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	1

pdf, 1570 КБ

Мы рекомендуем