QS6K21FRATR, MOSFETs 0.415Rds(on) 1.5Qg

QS6K21FRATR, MOSFETs 0.415Rds(on) 1.5Qg
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6735 шт., срок 5-7 недель
190 руб.
от 10 шт.150 руб.
от 100 шт.104 руб.
от 500 шт.85.92 руб.
1 шт. на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8005629355
Артикул: QS6K21FRATR
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
QS6Kx Nch+Nch Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor QS6Kx Nch+Nch Automotive MOSFETs are low on-resistance MOSFETs that come with a built-in G-S protection diode. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and feature ±1A continuous drain current (I D ). The QS6Kx MOSFETs are available in a small surface-mount package (TSMT6). These MOSFETs are suitable for power switching applications.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 7 ns
Id - Continuous Drain Current: 1 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package / Case: TSMT-6
Part # Aliases: QS6K21FRA
Pd - Power Dissipation: 1.25 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 1.5 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 300 mOhms
Rise Time: 8 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel, NPN
Transistor Type: 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 16 ns
Typical Turn-On Delay Time: 6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 45 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V
Вес, г 0.01

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.