HMC606, RF Amplifier GaAs InGaP HBT MMIC Ultra Low Phase Noise, Distributed Amplifier, 2 - 18 GHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 060 руб.
Кратность заказа 25 шт.
от 50 шт. —
23 930 руб.
25 шт.
на сумму 626 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
RF & Wireless\RF Integrated Circuits\RF Amplifier
RF, микроволновая печь, amp; Миллиметровая волна ADI SLP
Технические параметры
| NF - коэффициент шумов: | 6.5 dB |
| OIP3 - перехват составляющих третьего порядка: | 27 dBm |
| P1dB - точка сжатия: | 15 dBm |
| Pd - рассеивание мощности: | 1.32 W |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Входные потери на отражение: | 22 dB |
| Категория продукта: | РЧ-усилитель |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура: | +85 C |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Подкатегория: | Wireless и RF Integrated Circuits |
| Производитель: | Analog Devices Inc. |
| Рабочая частота: | 2 GHz to 18 GHz |
| Рабочее напряжение питания: | 5 V |
| Рабочий ток источника питания: | 64 mA |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 25 |
| Серия: | HMC606G |
| Тестовая частота: | 2 GHz to 12 GHz |
| Технология: | GaAs |
| Тип продукта: | RF Amplifier |
| Тип: | Low Noise Amplifiers |
| Торговая марка: | Analog Devices |
| Упаковка: | Gel Pack |
| Усиление: | 14 dB |
| Частотный диапазон: | 2 GHz to 18 GHz |
| Вес, г | 0.87 |
Техническая документация
Datasheet HMC606
pdf, 553 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
