BSM080D12P2C008
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт., срок 6-8 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
82 920 руб.
от 12 шт. —
74 300 руб.
1 шт.
на сумму 82 920 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Описание Trans MOSFET N-CH SiC 1,2 кВ 80A 10-контактный лоток Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Base Product Number | BSM080 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | 175В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn |
| Package | Tray |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 600W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 13.2mA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Package Type | Tray |
Техническая документация
Datasheet BSM080D12P2C008
pdf, 255 КБ
Datasheet BSM080D12P2C008
pdf, 1366 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
