IHW20N65R5XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 руб.
600 руб.
от 30 шт. —
430 руб.
от 120 шт. —
338 руб.
1 шт.
на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon IGBT is a reverse conducting IGBT with monolithic body diode. This IGBT has powerful monolithic reverse conducting diode with low forward voltage and qualified according to JESD022 for target applications.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet IHW20N65R5XKSA1
pdf, 2120 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
