RE1C001ZPTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28768 шт., срок 6-8 недель
85 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
58 руб.
от 100 шт. —
26 руб.
от 500 шт. —
20.80 руб.
3 шт.
на сумму 255 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор 1.2V Drive Pch МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 62 ns |
| Время спада | 137 ns |
| Другие названия товара № | RE1C001ZP |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 325 ns |
| Типичное время задержки при включении | 46 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-416-3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SC-75 |
| Pin Count | 3 |
| Series | RE1C001ZP |
| Width | 0.9mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@4.5V, 100mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 15pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.5pF@10V |
| Type | 1PCSPChannel |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
