FP40R12KT3GBOSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 260 руб.
31 750 руб.
1 шт.
на сумму 31 750 руб.
Плати частями
от 7 939 руб. × 4 платежа
от 7 939 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 55 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | PCB Mount |
| Package Type | ECONO3 |
| Pin Count | 35 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
