IXGT2N250
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 670 руб.
1 шт.
на сумму 16 670 руб.
Плати частями
от 4 169 руб. × 4 платежа
от 4 169 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT 2500V 5.5A 32W Surface Mount TO-268
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5.5A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 13.5A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 10.5nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Power - Max | 32W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-268 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2500V |
| Pd - рассеивание мощности | 32 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2500 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 5.5 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 13.5 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
Техническая документация
Datasheet IXGT2N250
pdf, 179 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
