FZ600R17KE4HOSA1
![FZ600R17KE4HOSA1](https://static.chipdip.ru/lib/261/DOC047261281.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 780 руб.
от 10 шт. —
30 820 руб.
1 шт.
на сумму 37 780 руб.
Плати частями
от 9 445 руб. × 4 платежа
от 9 445 руб. × 4 платежа
Описание
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, high Power converters, motor drives, traction drives, ups systems, wind turbines etc.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
Maximum Continuous Collector Current | 840 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 3.35 kW |
Number of Transistors | 1 |
Техническая документация
Datasheet FZ600R17KE4HOSA1
pdf, 618 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов