2N2218A PBFREE

2N2218A PBFREE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
201 шт., срок 6-8 недель
650 руб.
от 10 шт.500 руб.
от 100 шт.367 руб.
1 шт. на сумму 650 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005806620

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 40V 800mA 250MHz 800mW Through Hole TO-39

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 200В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Power - Max 800mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-39
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 755 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.