TRS16N65FB,S1Q
![TRS16N65FB,S1Q](https://static.chipdip.ru/lib/428/DOC043428487.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
238 шт., срок 6-8 недель
1 730 руб.
1 шт.
на сумму 1 730 руб.
Плати частями
от 434 руб. × 4 платежа
от 434 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
SiC Schottky Barrier Diodes Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Configuration: | Dual Anode Common Cathode |
Factory Pack Quantity: | 30 |
If - Forward Current: | 16 A |
Ifsm - Forward Surge Current: | 130 A |
Ir - Reverse Current: | 400 nA |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 166 W |
Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
Technology: | SiC |
Vf - Forward Voltage: | 1.6 V |
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 294 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды выпрямительные»
Типы корпусов импортных диодов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.