2SK3019TL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48256 шт., срок 6-8 недель
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
76 руб.
от 100 шт. —
35 руб.
от 500 шт. —
27.60 руб.
2 шт.
на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 0.1А [SOT-416]
Технические параметры
| Base Product Number | 2SK3019 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | EMT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 80 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | 2SK3019 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8 Ohms |
| Rise Time | 35 ns |
| Series | 2SK3019 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel MOSFET |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Height | 0.7 mm |
| Length | 1.6 mm |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| RoHS | Details |
| Width | 0.8 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | EMT |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Вес, кг | 36.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2SK3019TL
pdf, 151 КБ
Документация
pdf, 163 КБ
Datasheet 2SK3019
pdf, 104 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
