IKY40N120CH3XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 400 руб.
от 30 шт. —
1 690 руб.
от 120 шт. —
1 410 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 400 руб.
Плати частями
от 600 руб. × 4 платежа
от 600 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon IGBT3 in TO-247PLUS 4pin package. The 4 pin package configuration provides ultra low inductance to the gate emitter control loop with the 4 pin package directly to the gate driver and allows for reduction the both of E on and E off losses amo
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-4-2 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IKY40N120CH3 SP001465124 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
