RQ6C050UNTR
![Фото 1/2 RQ6C050UNTR](https://static.chipdip.ru/lib/301/DOC005301828.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/540/DOC006540983.jpg)
40902 шт., срок 6-8 недель
160 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 100 шт. —
82 руб.
от 500 шт. —
59.96 руб.
1 шт.
на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
МОП-транзистор 1.5V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
Qg - заряд затвора | 12 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 22 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 100 ns |
Другие названия товара № | RQ6C050UN |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 70 ns |
Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-457-6 |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.022Ом |
Power Dissipation | 1.25Вт |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 5А |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-457T |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet RQ6C050UNTR
pdf, 1628 КБ
Datasheet RQ6C050UNTR
pdf, 2757 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.