RQ6C050UNTR

Фото 1/2 RQ6C050UNTR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
40902 шт., срок 6-8 недель
160 руб.
от 10 шт.130 руб.
от 100 шт.82 руб.
от 500 шт.59.96 руб.
1 шт. на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8005826506
Бренд: Rohm

Описание

МОП-транзистор 1.5V Drive Nch МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 5 A
Pd - рассеивание мощности 1.25 W
Qg - заряд затвора 12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 22 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 300 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 25 ns
Время спада 100 ns
Другие названия товара № RQ6C050UN
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 70 ns
Типичное время задержки при включении 15 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-457-6
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.022Ом
Power Dissipation 1.25Вт
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 4.5В
Напряжение Истока-стока Vds 20В
Непрерывный Ток Стока
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 1.25Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.022Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOT-457T
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Datasheet RQ6C050UNTR
pdf, 1628 КБ
Datasheet RQ6C050UNTR
pdf, 2757 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.