STGW100H65FB2-4
![Фото 1/3 STGW100H65FB2-4](https://static.chipdip.ru/lib/583/DOC028583527.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/680/DOC029680019.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/108/DOC010108476.jpg)
68 шт., срок 6-8 недель
2 380 руб.
1 790 руб.
от 30 шт. —
1 230 руб.
1 шт.
на сумму 1 790 руб.
Плати частями
от 449 руб. × 4 платежа
от 449 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 145A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 288nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-4 |
Power - Max | 441W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Series | HB2 -> |
Supplier Device Package | TO-247-4 |
Switching Energy | 1.06mJ (on), 1.14mJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 23ns/141ns |
Test Condition | 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 100A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 600 |
Серия | HB2 |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 145 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 441 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO247-4 |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 145А |
Power Dissipation | 441Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HB2 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet STGW100H65FB2-4
pdf, 251 КБ
Datasheet STGW100H65FB2-4
pdf, 240 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.