STGE200NB60S
![Фото 1/3 STGE200NB60S](https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC044454853.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/260/DOC046260415.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/260/DOC046260423.jpg)
80 шт., срок 6-8 недель
8 200 руб.
от 10 шт. —
6 410 руб.
1 шт.
на сумму 8 200 руб.
Плати частями
от 2 050 руб. × 4 платежа
от 2 050 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор БТИЗ, Urмax 600В, Ic 150A, P 600Вт, Ifsм 400A, ISOTOP Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | винтами |
Ток коллектора, А | 150 |
Мощность, Вт | 600 |
Корпус | ISOTOP |
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Panel Mount |
Package Type | ISOTOP |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.