FF400R17KE4HOSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
55 910 руб.
от 10 шт. —
48 760 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 55 910 руб.
Плати частями
от 13 979 руб. × 4 платежа
от 13 979 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon half-bridge IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled diode. It has collector emitter voltage of 1700 V and collector current of 400 A.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 400 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Number of Transistors | 2 |
| Package Type | 62 mm |
| Pin Count | 7 |
| Transistor Configuration | Dual |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1700 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 400 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 7 |
| Supplier Package | 62MM-1 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 565 КБ
Datasheet FF400R17KE4HOSA1
pdf, 587 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
