R6015KNX
![R6015KNX](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
454 шт., срок 6-8 недель
630 руб.
от 10 шт. —
480 руб.
от 100 шт. —
358 руб.
1 шт.
на сумму 630 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 600V 15A (Tc) 60W (Tc) сквозное отверстие TO-220FM
Технические параметры
Base Product Number | R6015 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 15A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.5nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
Package | Bulk |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 6.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
Supplier Device Package | TO-220FM |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
Pd - рассеивание мощности | 60 W |
Qg - заряд затвора | 27.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 30 ns |
Время спада | 15 ns |
Другие названия товара № | R6015KNX |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | Super Junction-MOS KN |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 50 ns |
Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Техническая документация
Datasheet R6015KNX
pdf, 1294 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.