FP10R12W1T4BOMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 810 руб.
1 шт.
на сумму 10 810 руб.
Плати частями
от 2 704 руб. × 4 платежа
от 2 704 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Modules
Модуль IGBT Trench Field Stop Трехфазный инвертор 1200 В, 20 А, 105 Вт Модуль для монтажа на шасси
Технические параметры
| Base Product Number | FP10R12 -> |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 600pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 105W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 105 W |
| Number of Transistors | 7 |
Техническая документация
Datasheet FP10R12W1T4BOMA1
pdf, 963 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
