FS100R12KT4GBOSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 010 руб.
от 10 шт. —
33 450 руб.
от 30 шт. —
32 200 руб.
1 шт.
на сумму 41 010 руб.
Плати частями
от 10 254 руб. × 4 платежа
от 10 254 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Modules
Модуль IGBT Trench Field Stop Трехфазный инвертор 1200V 100A 515W Модуль для монтажа на шасси
Технические параметры
| Base Product Number | FS100R12 -> |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 515W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Pd - рассеивание мощности | 515 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 17 mm |
| Длина | 122 mm |
| Другие названия товара № | FS100R12KT4GBOSA1 SP000379671 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Hex |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | Econo 3 |
| Ширина | 62 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 515 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Package Type | AG-ECONO3-4 |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
