FS450R17OE4BOSA1
![FS450R17OE4BOSA1](https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC043631053.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
154 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 154 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Modules
Модуль IGBT Trench Field Stop Full Bridge 1700V 630A 2400W Модуль для монтажа на шасси
Технические параметры
Base Product Number | FS450R17 -> |
Configuration | Full Bridge |
Current - Collector (Ic) (Max) | 630A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 3mA |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input | Standard |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 36nF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Chassis Mount |
NTC Thermistor | Yes |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C |
Package | Tray |
Package / Case | Module |
Power - Max | 2400W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | EconoPACKв„ў+ -> |
Supplier Device Package | Module |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 450A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 450А |
DC Ток Коллектора | 450А |
Power Dissipation | 2.4кВт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack |
Линейка Продукции | EconoPACK |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.95В |
Рассеиваемая Мощность | 2.4кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet FS450R17OE4BOSA1
pdf, 695 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов