BUK7M8R5-40HX
![Фото 1/2 BUK7M8R5-40HX](https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC004370506.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/570/DOC006570958.jpg)
8329 шт., срок 6-8 недель
290 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
160 руб.
от 500 шт. —
122.21 руб.
1 шт.
на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8005927895
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs
Nexperia LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs are a portfolio of low R DS(on) 40V AEC-Q101 MOSFETs for modules in demanding powertrain applications. The devices are housed in the miniature, LFPAK33 package with a footprint of only 10.9mm². The LFPAK33 MOSFETs use Nexperia's Trench 9 technology. This results in a 48% reduction in R DS(on) when compared to previous devices. These devices cover a range of applications from 30W up to 300W. BUK7M3R3-40H and BUK9M3R3-40H (Standard Level and Logic Level) devices feature a 3.3mΩ R DS(on).
Nexperia LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs are a portfolio of low R DS(on) 40V AEC-Q101 MOSFETs for modules in demanding powertrain applications. The devices are housed in the miniature, LFPAK33 package with a footprint of only 10.9mm². The LFPAK33 MOSFETs use Nexperia's Trench 9 technology. This results in a 48% reduction in R DS(on) when compared to previous devices. These devices cover a range of applications from 30W up to 300W. BUK7M3R3-40H and BUK9M3R3-40H (Standard Level and Logic Level) devices feature a 3.3mΩ R DS(on).
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0074Ом |
Power Dissipation | 59Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 40А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 59Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0074Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | LFPAK |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | Nexperia |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
Fall Time: | 3.7 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
Manufacturer: | Nexperia |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | LFPAK-33-8 |
Part # Aliases: | 934660807115 |
Pd - Power Dissipation: | 59 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 20 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 mOhms |
Rise Time: | 3.2 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 9.2 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.