BUK7M8R5-40HX

Фото 1/2 BUK7M8R5-40HX
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8329 шт., срок 6-8 недель
290 руб.
от 10 шт.220 руб.
от 100 шт.160 руб.
от 500 шт.122.21 руб.
1 шт. на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8005927895
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs

Nexperia LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs are a portfolio of low R DS(on) 40V AEC-Q101 MOSFETs for modules in demanding powertrain applications. The devices are housed in the miniature, LFPAK33 package with a footprint of only 10.9mm². The LFPAK33 MOSFETs use Nexperia's Trench 9 technology. This results in a 48% reduction in R DS(on) when compared to previous devices. These devices cover a range of applications from 30W up to 300W. BUK7M3R3-40H and BUK9M3R3-40H (Standard Level and Logic Level) devices feature a 3.3mΩ R DS(on).

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0074Ом
Power Dissipation 59Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 40А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 59Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0074Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора LFPAK
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: Nexperia
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1500
Fall Time: 3.7 ns
Id - Continuous Drain Current: 40 A
Manufacturer: Nexperia
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: LFPAK-33-8
Part # Aliases: 934660807115
Pd - Power Dissipation: 59 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 20 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 8.5 mOhms
Rise Time: 3.2 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 9.2 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.4 V
Вес, г 10

Техническая документация

Datasheet
pdf, 284 КБ
Datasheet
pdf, 281 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.