FZ600R12KE4HOSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 850 руб.
29 430 руб.
от 10 шт. —
23 730 руб.
от 30 шт. —
22 860 руб.
1 шт.
на сумму 29 430 руб.
Плати частями
от 7 359 руб. × 4 платежа
от 7 359 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon IGBT module has VCEsat with positive temperature coefficient. This IGBT module offers high creep age and clearance distances.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 3 kW |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | Module |
Техническая документация
Datasheet FZ600R12KE4HOSA1
pdf, 663 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
