IXGK120N120A3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 420 руб.
от 25 шт. —
9 950 руб.
от 100 шт. —
9 260 руб.
1 шт.
на сумму 13 420 руб.
Плати частями
от 3 355 руб. × 4 платежа
от 3 355 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole TO-264 (IXGK)
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 240A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 420nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | PT |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Power - Max | 830W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | GenX3в„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-264 (IXGK) |
| Switching Energy | 10mJ (on), 33mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 40ns/490ns |
| Test Condition | 960V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 26.59 mm |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Длина | 20.29 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | GenX3 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 240 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 240 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 600 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Серия | IXGK120N120 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Ширина | 5.31 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 217 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
