FP50R12KT3BOSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 760 руб.
29 100 руб.
1 шт.
на сумму 29 100 руб.
Плати частями
от 7 275 руб. × 4 платежа
от 7 275 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Urmax: 1,2кВ Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | Module |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
