F475R06W1E3BOMA1

Фото 1/2 F475R06W1E3BOMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 710 руб.
1 шт. на сумму 7 710 руб.
Плати частями
от 1 929 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005982964

Описание

Модуль Trans IGBT N-CH 600 В 100 А 275000 мВт 15-контактный лоток EASY1B-1

Технические параметры

Automotive No
Channel Type N
Configuration Quad
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 600
Maximum Continuous Collector Current (A) 100
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) 0.4
Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 275000
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Screw
Packaging Tray
Part Status Active
PCB changed 15
Pin Count 15
PPAP No
Supplier Package EASY1B-1
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) 1.45
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 100 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 275 W
Number of Transistors 4

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов