DTA123EETL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5519 шт., срок 6-8 недель
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
79 руб.
от 100 шт. —
36 руб.
от 500 шт. —
28.40 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 МГц 150 мВт EMT3 для поверхностного монтажа
Технические параметры
| Base Product Number | DTA123 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Power - Max | 150mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | EMT3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.7 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Другие названия товара № | DTA123EE |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DTA123EE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-416-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Operating Frequency | 250 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-416 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1364 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1401 КБ
Datasheet DTA123EETL
pdf, 1392 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
