FS25R12W1T4B11BOMA1

FS25R12W1T4B11BOMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11 030 руб.
1 шт. на сумму 11 030 руб.
Плати частями
от 2 759 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006006535

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Modules
Модуль IGBT Trench Field Stop Трехфазный инвертор 1200 В, 45 А, 205 Вт Модуль для монтажа на шасси

Технические параметры

Base Product Number FS25R12 ->
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.45nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C
Package Tray
Package / Case Module
Power - Max 205W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EasyPACKв„ў 1B ->
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 45 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 205 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Package Type EASY1B
Pin Count 22
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration 3 Phase

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов