RGT50TM65DGC9
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
960 шт., срок 6-8 недель
730 руб.
от 50 шт. —
500 руб.
от 100 шт. —
422 руб.
от 500 шт. —
359.38 руб.
1 шт.
на сумму 730 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT Trench Field Stop 650V 21A 47W сквозное отверстие TO-220NFM
Технические параметры
Base Product Number | RGT50 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 21A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 75A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 49nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Power - Max | 47W |
Reverse Recovery Time (trr) | 58ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-220NFM |
Td (on/off) @ 25В°C | 27ns/88ns |
Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.