IGW08T120FKSA1

IGW08T120FKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 050 руб.
от 30 шт.720 руб.
от 120 шт.574 руб.
1 шт. на сумму 1 050 руб.
Плати частями
от 264 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006048352

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT NPT, траншейный полевой упор, 1200 В, 16 А, 70 Вт, сквозное отверстие, PG-TO247-3

Технические параметры

Base Product Number IGW08T120 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 16A
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
ECCN EAR99
Gate Charge 53nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type NPT, Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 70W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series TrenchStopВ® ->
Supplier Device Package PG-TO247-3
Switching Energy 1.37mJ
Td (on/off) @ 25В°C 40ns/450ns
Test Condition 600V, 8A, 81Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Automotive No
Channel Type N
Configuration Single
Life Cycle Active
Maximum Collector Emitter Voltage - (V) 1200
Maximum Continuous Collector Current - (A) 16
Maximum Gate Emitter Voltage - (V) ?20
Maximum Power Dissipation - (mW) 70000
Military Qualified No
Operating Temperature - (?C) -40~150
Packaging Tube
Pin Count 3
Standard Package Name TO-247
Supplier Package TO-247
Typical Collector Emitter Saturation Voltage - (V) 1.7

Техническая документация

Datasheet IGW08T120FKSA1
pdf, 347 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов