R6024ENX

R6024ENX
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
464 шт., срок 6-8 недель
1 100 руб.
от 10 шт.830 руб.
от 100 шт.603 руб.
1 шт. на сумму 1 100 руб.
Плати частями
от 275 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006060913
Бренд: Rohm

Описание

МОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 24 A
Pd - рассеивание мощности 74 W
Qg - заряд затвора 70 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 150 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 50 ns
Время спада 50 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 500
Серия Super Junction-MOS EN
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 180 ns
Типичное время задержки при включении 35 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-220-3

Техническая документация

Datasheet R6024ENX
pdf, 1936 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.