AS6C3216A-55TIN

AS6C3216A-55TIN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 400 руб.
от 10 шт.5 230 руб.
от 25 шт.5 180 руб.
от 40 шт.4 697.80 руб.
1 шт. на сумму 6 400 руб.
Плати частями
от 1 600 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006072546

Описание

Integrated Circuits (ICs)\Memory
SRAM - ИС асинхронной памяти 32 Мб (2M x 16), параллельный 55 нс, 48-TSOP I

Технические параметры

Access Time 55ns
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
Memory Format SRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 32Mb (2M x 16)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 48-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 48-TSOP I
Technology SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 55ns
Access Time: 55 ns
Brand: Alliance Memory
Factory Pack Quantity: 156
Interface Type: Parallel
Manufacturer: Alliance Memory
Maximum Operating Temperature: +85 C
Memory Size: 32 Mbit
Memory Type: SDR
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organisation: 2 M x 16
Package/Case: TSOP-48
Packaging: Tray
Product Category: SRAM
Product Type: SRAM
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 20 mA
Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Type: Asynchronous

Техническая документация

Datasheet AS6C3216A-55TIN
pdf, 4637 КБ
Datasheet AS6C3216A-55TIN
pdf, 3647 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем