IXYH100N65C3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 160 руб.
2 510 руб.
от 30 шт. —
1 850 руб.
1 шт.
на сумму 2 510 руб.
Плати частями
от 629 руб. × 4 платежа
от 629 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 100А, 830Вт, TO247-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 100A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Gate charge | 172nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 830W |
| Pulsed collector current | 420A |
| Technology | GenX3™, Planar, XPT™ |
| Turn-off time | 200ns |
| Turn-on time | 62ns |
| Type of transistor | IGBT |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 233 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
